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描述
- 铌酸锂强度调制器采用微电子技术制造。调制器基于Mach-Zehnder结构。波导的光约束是由退火质子交换过程引起的。确切地说，输入光纤和输出光纤对角耦合到波导。利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的强度调制。
- 铌酸锂高频相位调制器采用微电子技术制造。波导的光约束是由退火质子交换过程引起的。确切地说，输入光纤和输出光纤对角耦合到波导。利用铌酸锂材料的电光效应实现光信号的相位调制。
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