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- 25Gbps Φ32μm 顶部发光 PIN PD 芯片 - 该 25Gbps 光电二极管芯片是一种顶部发光的高数据速率 PIN 光电二极管芯片，有源面积为 Φ32μm。其特点是具有高响应率、低电容、低暗电流和出色的可靠性，主要与高性能 25Gbps 互阻抗放大...
- 25Gbps Φ32μm 顶部发光 PIN PD 芯片 - 该 25Gbps 光电二极管芯片是一种顶部发光的高数据速率 PIN 光电二极管芯片，有源面积为 Φ32μm。其特点是具有高响应率、低电容、低暗电流和出色的可靠性，主要与高性能 25Gbps 跨阻抗放大...
- 25Gbps Φ20μm 顶部发光 PIN PD 芯片 - 这款高数据速率 10Gbps 光电二极管芯片采用 InGaAs/InP PIN 结构，顶部发光。其特点是高责任、低电容、低暗电流，有源区尺寸为 Φ50μm，顶部有用于 TO-CAN 封装线键合的阳极和...
- 25Gbps Φ16μm 顶部发光 APD 芯片 - 该 25Gbps 雪崩光电二极管芯片（APD 芯片）采用地-信号（GS）电极结构，顶部发光有源区尺寸为 Φ16μm。该产品具有高倍率、低电容、高带宽、低温度系数和出色的可靠性等特点，可应用于 25G EPO...
- 10Gbps Φ50μm PIN PD 芯片 - 这款高数据速率 10Gbps 光电二极管芯片采用 InGaAs/InP PIN 结构，顶部发光。其特点是高责任、低电容、低暗电流，有源区尺寸为 Φ50μm，顶部有用于 TO-CAN 封装线键合的阳极和阴极键合垫...
- 激光雷达传感器芯片 - 雪崩光电二极管芯片（APD 芯片）是一种内部具有倍增光电流的受光芯片。顶部进光口产品的光敏面积尺寸为Φ1000μm，便于光纤对准，前后电极结构；高响应性、高倍增、低暗电流。单管封装的高性能大光敏面 APD 芯片可提高光接收器的灵敏度，广...
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82211 Herrsching a. Ammersee, 德国
Hamamatsu Photonics Deutschland GmbH
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描述
光电二极管
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