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芯思杰技术(深圳)股份有限公司

南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼/ F4
518055 Shenzhen, 中国
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2.5Gbps Φ80μm OTDR APD 芯片

价格: 立即询价 雪崩光电二极管芯片(APD 芯片)是一种提供内置增益并放大光电流的有源器件。该产品的特点是顶部为阳极,背面为阴极,顶部发光的有源面积为 Φ80μm,便于光学组装;具有高响应率、高倍增因子和低暗电流的特...

2.5Gbps Φ70μm 数字/模拟 PIN PD 芯片

价格: 立即询价 2.5Gbps 光电二极管芯片采用 InGaAs/InP 平面 PIN 结构和顶部发光数字/模拟光电二极管芯片,有源区尺寸为 Φ70μm。该芯片具有低暗电流、低电容、高响应率、较低的二阶调制间失真(I...

2.5Gbps Φ70μm 数字/模拟 PIN PD 芯片

价格: 立即询价 这款 2.5Gbps 光电二极管芯片采用 InGaAs/InP PIN 平面结构和顶部发光数字/模拟光电二极管芯片,有源区尺寸为 Φ70μm。该芯片具有低暗电流、低电容、高响应度和出色的可靠性等特点。...

2.5Gbps Φ70μm 高响应度数字/模拟 PIN PD 芯片

价格: 立即询价 这款 2.5Gbps 光电二极管芯片采用 InGaAs/InP PIN 平面结构和顶部发光的高响应率数字/模拟光电二极管芯片,有源区尺寸为 Φ70μm。其特点是低暗电流、低电容、高响应率,从而获得更低...

3GHz Φ70μm 高响应度数字/模拟 PIN PD 芯片

价格: 立即询价 该 3GHz 光电二极管芯片是 InGaAs/InP PIN 平面结构、顶部发光的 3GHz 高响应率数字/模拟 PD 芯片,有源区尺寸为 Φ70μm。其特点是低暗电流、低电容、高响应率,从而获得更低...

6GHz Φ70μm 模拟 PIN PD 芯片

价格: 立即询价 这款 6GHz 光电二极管芯片采用 InGaAs/InP PIN 介面结构和顶部发光模拟 PD 芯片,有源区尺寸为 Φ70μm。该芯片具有低暗电流、低电容、高响应度和出色的可靠性等特点。可应用于 CA...

Φ10000μm 显示器 PD 芯片

价格: 立即询价 顶部发光的 InGaAs 监视器 PIN 光电二极管芯片,采用顶部阳极、背面阴极的平面结构。其有源面积为 Φ10000μm,在 900nm 至 1700nm 波长区域内具有高响应率。 特点 n+ I...

Φ2000μm 显示器 PD 芯片

价格: 立即询价 这种顶部发光的 InGaAs/InP 监视器 PIN 光电二极管芯片具有较大的有源面积,为平面结构,阳极在顶部,阴极在背面。有源区尺寸为 Φ2000μm,在 980nm 至 1620nm 波长区域具有...
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新闻报道

PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd 06.11.2024

2024 慕尼黑上海光博会--光博会信息

企业新闻
慕尼黑上海光博会将于 2024 年 3 月 20-22 日在上海新国际博览中心举行。PHOGRAIN 展位号:3176,W3 厅,展示高速光电探测器、光学传感器芯片和器件。应用领域:接入网、数据中心、量子通信、激光雷达、气体监测、屏下传感、智能终端监测、智能健康监测等。展出产品速率覆盖 1.25Gb...
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