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PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd

南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼/ F4
518055 Shenzhen, 中国
PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd 南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼/ F4, 518055 Shenzhen, 中国

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25Gbps Φ32μm 顶部发光 PIN PD 芯片

价格: 立即询价 该 25Gbps 光电二极管芯片是一种顶部发光的高数据速率 PIN 光电二极管芯片,有源面积为 Φ32μm。其特点是具有高响应率、低电容、低暗电流和出色的可靠性,主要与高性能 25Gbps 互阻抗放大...

25Gbps Φ32μm 顶部发光 PIN PD 芯片

价格: 立即询价 该 25Gbps 光电二极管芯片是一种顶部发光的高数据速率 PIN 光电二极管芯片,有源面积为 Φ32μm。其特点是具有高响应率、低电容、低暗电流和出色的可靠性,主要与高性能 25Gbps 跨阻抗放大...

25Gbps Φ20μm 顶部发光 PIN PD 芯片

价格: 立即询价 这款高数据速率 10Gbps 光电二极管芯片采用 InGaAs/InP PIN 结构,顶部发光。其特点是高责任、低电容、低暗电流,有源区尺寸为 Φ50μm,顶部有用于 TO-CAN 封装线键合的阳极和...

25Gbps Φ16μm 顶部发光 APD 芯片

价格: 立即询价 该 25Gbps 雪崩光电二极管芯片(APD 芯片)采用地-信号(GS)电极结构,顶部发光有源区尺寸为 Φ16μm。该产品具有高倍率、低电容、高带宽、低温度系数和出色的可靠性等特点,可应用于 25G ...

10Gbps Φ50μm PIN PD 芯片

价格: 立即询价 这款高数据速率 10Gbps 光电二极管芯片采用 InGaAs/InP PIN 结构,顶部发光。其特点是高责任、低电容、低暗电流,有源区尺寸为 Φ50μm,顶部有用于 TO-CAN 封装线键合的阳极和...

激光雷达传感器芯片

价格: 立即询价 雪崩光电二极管芯片(APD 芯片)是一种内部具有倍增光电流的受光芯片。顶部进光口产品的光敏面积尺寸为Φ1000μm,便于光纤对准,前后电极结构;高响应性、高倍增、低暗电流。单管封装的高性能大光敏面 A...

激光雷达传感器芯片

价格: 立即询价 雪崩光电二极管芯片(APD 芯片)是一种内部具有倍增光电流的受光芯片。顶部进光口产品的光敏面积尺寸为Φ500μm,便于光纤对准,前后电极结构;高响应性、高倍增、低暗电流。单管封装的高性能大光敏面 AP...

激光雷达传感器芯片

价格: 立即询价 雪崩光电二极管芯片(APD 芯片)是一种提供内置增益并放大光电流的有源器件。该产品的特点是顶部为阳极,背面为阴极,顶部发光有源区尺寸为Φ400μm,便于光学组装;具有高响应率、高倍增因子和低暗电流的特...
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新闻报道

PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd 10.10.2025

CIOE 2026:PHOGRAIN将正式推出面向下一代全球高速光互连的400 Gbps PIN光电二极管

企业新闻
第27届中国国际光电博览会(CIOE)将于9月9日至11日在深圳世界会展中心拉开帷幕。 作为光电探测器芯片领域的全球领导者,PHOGRAIN将亮相11号展厅11B33展位,并将在该展位正式推出其400Gbps背照式PIN光电探测器(PIN PD)芯片。 在当前行业发展的关键节点,随着人工智能计算能力...
PHOGRAIN Technology(Shenzhen)Co.,Ltd 06.11.2024

2024 慕尼黑上海光博会--光博会信息

企业新闻
慕尼黑上海光博会将于 2024 年 3 月 20-22 日在上海新国际博览中心举行。PHOGRAIN 展位号:3176,W3 厅,展示高速光电探测器、光学传感器芯片和器件。应用领域:接入网、数据中心、量子通信、激光雷达、气体监测、屏下传感、智能终端监测、智能健康监测等。展出产品速率覆盖 1.25Gb...
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